知识科普-北京研诺信诚科技有限公司

2023-06-27

随着科学技术的不断发展,半导体器件的种类不断增多.原始点接触晶体管、合金晶体管、合金扩散晶体管、台面晶体管、硅平面晶体管、TTL集成电路和N沟硅栅平面MOS集成电路等,其制造工艺及工艺之间的各道工序也有所差别.在硅平面晶体管工艺过程中,电较材料的制备技术是一项关键工艺,典型的制备技术主要有两类:一类是电子束蒸发镀膜技术,另一类是磁控溅射镀膜方法.长期以来,在生产实践中由于电子束蒸发与磁控溅射这两种方法制备晶体管微电较各具优势,而且各自采用的设备和工艺不同,因而其产品质量孰优孰劣一直存在争论.本文就这一问题展开研究,详细分析了常用电较材料Al通过这两种方法制备成薄膜电较的膜厚控制、附着力、致密性、电导率和折射率等重要性能指标,测试结果分析表明磁控溅射铝膜的综合性能优于电子束蒸发.

2023-06-26

电子束蒸发镀膜原理

电子束蒸发是一种物理气相沉积 (PVD)技术,它在真空下利用电子束直接加热蒸发材料(通常是颗粒),并将蒸发的材料输送到基板上形成一个薄膜.电子束蒸镀可以镀出高纯度、高精度的薄膜。

2023-06-25

钼及钼合金溅射靶材

钼及钼合金溅射靶材已广泛应用于电子部件和电子产品中,如薄膜半导体管–液晶显示器 (TFT–LCD)、等离子显示器、场发射显示器、触摸屏,还可用于太阳能电池的背电极、玻璃镀膜等领域

2023-06-21

ITO溅射靶材的制作方法

真空热压--真空热压法是利用热能和机械能使陶瓷材料致密化的工艺. 热等静压--热等静压 (HIP)可以认为是加压烧结或高温压制.与传统的无压烧结相比,热等静压法可以在较低的温度下(一般为材料熔点的0.5~0.7倍左右)使材料完全致密.它可以很好地控制结构,抑制晶粒长大并获得均匀、各向同性的结构. 常温烧结--室温烧结是1990年代初期发展起来的一种靶材制备方法.它采用预压法(或浆液浇注法)制备高密度靶材预制件,然后在一定气氛和温度下烧结. 冷等静压--冷等静压(CIP)在常温下以橡胶或塑料为覆盖模具材料,以液体为压力介质传递超高压.在低压氧气氛的保护下,将ITO粉体通过冷等静压压制成大型陶瓷预制棒,

2023-06-20

靶材纯度对镀膜产生的影响

溅射镀膜对靶材质量的要求高于传统材料行业当基板进入高真空镀膜室时,如果靶材不够纯净,在电场和磁场的作用下,溅射过程中靶材中的杂质颗粒会附着在基板表面.这会影响薄膜的牢固性,甚至会导致薄膜层脱落.因此,靶材纯度越高,薄膜性能越好。

2023-06-19

溅射靶材的养护

溅射靶材的养护不可忽视,因为靶材的清洁度对于溅射镀膜过程中形成的镀膜质量,以及产品质量合格与否有着至关重要的作用,清除那些在靶材上的残留物,可减少靶材表面结瘤,也能提高靶材利用率和生产效率,而且靶材清洁也与后期的养护密不可分.

2023-06-15

PVD镀膜靶材

物理气相沉积(PVD)是一种薄膜制备技术,可在真空条件下将靶材的表面物理汽化为气态原子,分子或部分离子化为离子.然后,通过低压气体(或等离子体)将具有特定功能的膜沉积在基板的表面上.物理气相沉积的主要方法包括真空蒸发,溅射沉积,电弧等离子镀,离子镀等.PVD膜沉积速度快,附着力强,衍射性好,应用范围广.

2023-06-14

聚焦离子束技术

FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB 系统的粒子束是从液态金属离子源中引出.

2023-06-13

什么是N型半导体和P型半导体? 它们各有什么特点?

什么是N型半导体与P型半导体? N型半导体与P型半导体各有什么特点?