CVD制程优点:
(1)真空度要求不高,甚至不需要真空,如热喷覆.
(2)高沉积速率,APCVD可以达到1μm/min.
(3)相对于PVD,化学量论组成或合金的镀膜比较容易达成.
(4)镀膜的成份多样化,包括金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电材料、聚合物以及钻石薄膜等.
(5)可以在复杂形状的基材镀膜,甚至渗入多孔的陶瓷.
(6)厚度的均匀性良好,LPCVD甚至可同时镀数十芯片.
CVD制程缺点:
(1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解.
(2)须在高温度下进行,有些基材不能承受,甚至和镀膜起作用.
(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性,处理需格外小心.
(4)反应生成物可能残余在镀膜,成为杂质.
(5)基材的遮蔽很难.
南方大区
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18631125954
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北方大区
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