磁控溅射原理

电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞

向基片。武离子在电场的作用下加速轰击靶材，测射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基

片上成膜。一次电子在加速飞回基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠诉靶面的等离子体区

域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很

长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐

渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。

靶面金属化合物的形成

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢?由于活性反应气体粒子

与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成然必须有传导出去的途径。

否则该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以化学反应必须在一个固体

表面进行。反应溅射生成物在靶表面，基片表面，和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的

目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉

到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。

靶中毒的影响因素

影响靶中击的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应测射工艺

进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼

长的过程。如果化合物的生成速率大干化合物被剥离的速率，化合物着盖面积增加。在一定功率的情况

下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积

增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化

合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。

靶中毒现象

(1)正离子堆积:靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直

接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电.---打弧，使阴极溅射无法进行下去。

(2)阳极消失:靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳

极消失现象。

靶中毒的物理解释

(1)一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。

在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅

射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控测射的测射电压在400V-600V之间，当发生靶中击

时，溅射电压会显著降低。

(2)金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数

高，所以靶中毒后溅射速率低。

(3)反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的测射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅时速

率降低。

靶中毒的解决办法

(1)采用中频电源或射频电源。

(2)采用闭环控制反应气体的通入量。

(3)采用孪生靶

(4)控制镀膜模式的变换:在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前

沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。